碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和漂移速度以及更高的抗辐射能力，是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想材料，是未来半导体产业发展的重要方向，将成为支撑5G网络建设、新能源汽车及充电桩、特高压输变电及轨道交通等"新基建"的关键核心材料。

国内要实现“碳中和”，需要发力的方向很多：供给端扩大光伏发电、风电发电；需求端提升新能源车比例；输送端发力特高压，***发展新能源！而SIC碳化硅，正是光伏、新能源车、特高压的上游材料，凭借低功耗、耐高温、耐高压的优势，广泛应用于光伏逆变器、特高压基站、新能源车功率器件！

碳化硅作为底层材料，比传统的硅基性能更加优异，目前在功率半导体当中渗透率不足10%，未来有90%的渗透空间，市场规模超过2400亿！ 碳化硅的设备供应商和碳化硅的生产商中的龙头，是***有希望走出一波大行情的。